合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)钱玉忠获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)申请的专利一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法、抑制装置和紧凑型氘氘中子发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411819427.4，技术领域涉及：H05H3/06；该发明授权一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法、抑制装置和紧凑型氘氘中子发生器是由钱玉忠;朱振清;李猛猛;陶鑫;梁立振;胡纯栋设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法、抑制装置和紧凑型氘氘中子发生器在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法、抑制装置和紧凑型氘氘中子发生器，该抑制方法通过在紧凑型氘氘中子发生器中设置磁场来抑制二次电子；以及，通过在紧凑型氘氘中子发生器中添加电阻产生电场来抑制二次电子；其中在所述紧凑型氘氘中子发生器运行期间，所述紧凑型氘氘中子发生器的靶位于所述电场和磁场中。本发明采用电场和磁场结合方式抑制二次电子，抑制二次电子的能量范围0‑2keV，保证中子发生器的稳定运行。
本发明授权一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法、抑制装置和紧凑型氘氘中子发生器在权利要求书中公布了：1.一种用于紧凑型氘氘中子发生器的二次电子抑制方法，其特征在于，通过在紧凑型氘氘中子发生器中设置磁场来抑制二次电子； 以及，通过在紧凑型氘氘中子发生器中添加电阻产生电场来抑制二次电子；其中所述电场是利用所述紧凑型氘氘中子发生器的引出电极和靶之间的电势差产生的； 其中，在所述紧凑型氘氘中子发生器运行期间，所述紧凑型氘氘中子发生器的靶位于所述电场和磁场中。
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