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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411450062.2，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件是由薛刚;邓高强;李江欢;骆成涛;魏杰;罗小蓉设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaNHEMT器件。该结构通过添加一个与半桥下管并联的，具有与下管相同开关状态的Sub晶体管，在Sub晶体管开启的过程中实现了对衬底中所积累的电荷的释放，并通过Sub晶体管的开关实现了对衬底电势的调节，避免了在长时间工作状态下衬底电荷积累，实现了衬底偏置状态的动态自适应调节，减小了单片集成带来的衬底耦合串扰问题，提升了半桥结构在电源转化系统中的稳定性，提升了电源系统的能量转化效率，此外在器件制造过程中无需增加额外的掩模版和工艺步骤，使得该结构兼容常规工艺，有利于器件的集成化。

本发明授权具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.具有衬底耦合串扰抑制作用的单片集成半桥GaNHEMT器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的衬底层1、AlN成核层2、GaN缓冲层3、GaN沟道层4以及势垒层5； 其特征在于，所述势垒层5上层两端分别具有第一导电材料14和第四导电材料9，其中第一导电材料14沿器件纵向方向设置在势垒层5上层一端，沿器件纵向方向势垒层5上层的另一端具有第二导电材料11，并且第一导电材料14和第二导电材料11之间具有间距；所述第一导电材料14的中部向下凸起并且凸起部分沿垂直方向延伸至衬底层1的上层；在第一导电材料14和第二导电材料11之间的势垒层5中具有第一隔离区15，第一隔离区15沿垂直方向延伸至GaN缓冲层3的上层； 在第一导电材料14和第二导电材料11与第四导电材料9之间的势垒层5上表面具有钝化层6； 在第一导电材料14和第二导电材料11与第四导电材料9之间的势垒层5中部具有第三导电材料10，第三导电材料10的两端向下延伸贯穿钝化层6后嵌入势垒层5上层，并且第三导电材料10两端向下延伸的部分之间具有第二隔离区16，第二隔离区16的上端与钝化层6接触，第二隔离区16的下端沿器件垂直方向向下延伸至GaN缓冲层3上层； 在第一导电材料14和第二导电材料11与第三导电材料10之间的钝化层6上表面具有第一栅极结构，第一栅极结构靠近第一导电材料14和第二导电材料11并且与第一导电材料14和第二导电材料11之间具有间距；第一栅极结构包括第一P型GaN层7和第五导电材料13，第一P型GaN层7的底部与势垒层5的上表面接触，第五导电材料13的底部与第一P型GaN层7的上表面接触，钝化层6将第一P型GaN层7的侧面和未被第五导电材料13覆盖的表面包裹； 在第三导电材料10与第四导电材料9之间的钝化层6上表面具有第二栅极结构，第二栅极结构靠近第三导电材料10并且与第三导电材料10之间具有间距；第二栅极结构包括第二P型GaN层8和六导电材料12，第二P型GaN层8的底部与势垒层5的上表面接触，第六导电材料12的底部与第二P型GaN层8的上表面接触，钝化层6将第二P型GaN层8的侧面和未被第六导电材料12覆盖的表面包裹； 所述第一导电材料14和势垒层5的接触为欧姆接触，引出端为衬底电极；所述第三导电材料10和势垒层5的接触为欧姆接触，引出端为Switch电极；所述第四导电材料9和势垒层5的接触为欧姆接触，引出端为漏电极；第二导电材料11和势垒层5的接触为欧姆接触，引出端为源电极；第五导电材料13和第六导电材料12的引出端为栅电极。

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