青岛海存微电子有限公司张洪超获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种磁存储单元及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000706.6，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权一种磁存储单元及阵列是由张洪超;李金浩;王旻;韩则地;史祥锋;李淑慧;周剑锋;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁存储单元及阵列在说明书摘要公布了：本申请提供了一种磁存储单元及阵列，涉及半导体技术领域，磁存储单元至少包括自旋轨道矩层以及与设置于自旋轨道矩层上方的磁隧道结；其中，通过向磁隧道结顶端和自旋轨道矩层至少一端之间的写入通路施加第一写入电压，同时使磁隧道结短路和自旋轨道矩层的对应端断路，以使磁存储单元的阻态呈断路态；通过比较同时读取的磁存储单元的检测信号和设置于磁存储单元外部的参考信号，获得磁存储单元存储的数据状态。本申请基于SOT‑MRAM的磁存储单元实现OTP或FTP的数据读写，同时减小OTP单元或FTP单元的尺寸。
本发明授权一种磁存储单元及阵列在权利要求书中公布了：1.一种磁存储单元，其特征在于，所述磁存储单元至少包括自旋轨道矩层以及与设置于所述自旋轨道矩层上方的磁隧道结； 其中，通过向所述磁隧道结顶端和所述自旋轨道矩层至少一端之间的写入通路施加第一写入电压，同时使所述磁隧道结短路和所述自旋轨道矩层对应端断路，以使所述磁存储单元的阻态呈断路态； 通过同时读取的所述磁存储单元的检测信号和设置于所述磁存储单元外部的参考信号，二者比较以获取所述磁存储单元存储的数据状态，其中，通过向所述磁隧道结顶端和所述自旋轨道矩层其中一端之间的写入通路施加所述第一写入电压，同时使所述磁隧道结短路和所述自旋轨道矩层对应一端断路以此作为数据读取端，另一端作为数据读写端，所述检测信号是通过所述数据读写端和所述数据读取端读取所述磁存储单元得到的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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