青岛海存微电子有限公司张洪超获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种一次可编程存储单元以及存储阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119400226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510000707.0,技术领域涉及:G11C17/16;该发明授权一种一次可编程存储单元以及存储阵列是由张洪超;李金浩;王旻;韩则地;周剑锋;刘宏喜;王戈飞设计研发完成,并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种一次可编程存储单元以及存储阵列在说明书摘要公布了:本申请提供了一种一次可编程存储单元以及存储阵列,涉及集成电路设计技术领域。包括存储结构,以及设置在存储结构下方的导电结构;导电结构具有相对设置的第一端和第二端,通过向导电结构的任意一端和存储结构的顶部之间的写入通路施加写入电压,使得导电结构的目标区域断路,实现一次可编程存储单元的数据写入;目标区域断路后,通过向一次可编程存储单元施加读取电压,比较第一端和第二端的电流值大小,以实现写入数据的读取。本申请的一次可编程存储单元能够通过比较导电结构的第一端和第二端的电流值大小,进行数据的读取,不需要设置额外的参考单元来实现数据的读取,可以提升一次可编程存储单元所在的存储芯片的存储密度和写入稳定性。
本发明授权一种一次可编程存储单元以及存储阵列在权利要求书中公布了:1.一种一次可编程存储单元,其特征在于,包括存储结构,以及设置在所述存储结构下方的导电结构; 所述导电结构具有相对设置的第一端和第二端,通过向所述导电结构的任意一端和所述存储结构的顶部之间的写入通路施加写入电压,以使得所述导电结构的目标区域断路,以实现所述一次可编程存储单元的数据写入; 所述目标区域断路后,通过向所述一次可编程存储单元施加读取电压,比较所述第一端和所述第二端的电流值大小,以实现写入数据的读取。
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