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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利金催化剂颗粒辅助制备过渡金属硫族化合物异质结纳米管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119411098B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411611664.1，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权金催化剂颗粒辅助制备过渡金属硫族化合物异质结纳米管的方法是由安钦伟;张雪洋设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本金催化剂颗粒辅助制备过渡金属硫族化合物异质结纳米管的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了金催化剂颗粒辅助的化学气相沉积法实现过渡金属硫族化合物异质结纳米管可控生长方法，通过磁控溅射金纳米薄膜和高温退火处理，可以得到直径可调均匀分布金纳米颗粒修饰的硅片，以此为生长衬底。在化学气相沉积高温反应过程中，进一步通过单双温区高温炉精细调控过渡金属氧化物粉末、硫粉和硒粉的比例和蒸发速率，以及调控氢气和氩气的流量和比例，最终可以实现高晶体质量过渡金属硫族化合物异质结纳米管可控生长。进一步，通过调控生长衬底的温度、蒸发前驱体的种类和蒸发的速率，可以显著影响过渡金属硫族化合物纳米管的生长过程，得到成份、手性等结构特性不同的过渡金属硫族化合物异质结纳米管，即实现了过渡金属硫族化合物异质结纳米管可控生长和物性的定向调控。

本发明授权金催化剂颗粒辅助制备过渡金属硫族化合物异质结纳米管的方法在权利要求书中公布了：1.一种内管硒化钨外管硫化钨异质结纳米管的制备方法，该制备方法由金纳米颗粒催化剂的制备和化学气相沉积生长两部分组成，其特征在于，其制备步骤如下： S1：以高纯金为溅射靶材，以硅片为溅射基底，在100℃，直流功率50W的溅射条件下溅射35S,获得10nm均匀厚度的金膜； S2：把磁控溅射所获得金膜放入高温管式炉中退火，先用40分钟时间从25℃升温至750℃，然后恒温750℃保持10min，最后用10min降至25℃，在硅片上获得催化活性较高且颗粒直径均匀的金纳米颗粒催化剂；把制备得到的带有金纳米颗粒的硅片放在长方体样品台上面； S3：用石英舟分别称量纳米三氧化钨0.45g和升华硫0.3g以及硒粉0.4g，把三氧化钨均匀铺在石英舟上，将硫粉放置在硫粉送料装置上，将硒粉放置在硒粉送料装置上； S4：将装有三氧化钨的石英舟放在单温区高温管式炉中心位置，将样品台放在管式炉加热区,将硫粉送料装置和硒粉送料装置置于高温管式炉左侧非加热区； S5:将高温管式炉进行加热，在40min内将温度从25℃升温至900℃，当温度升至900℃时，从高温管式炉左侧通入10sccm的氢气和150sccm的氩气，调节高温管式炉气压维持恒定低压；然后继续升温，在4min内将温度升温至985℃，并在985℃时持续15min,当温度达到900℃时，利用硒粉送料装置缓慢将硒粉送入管式炉加热区左侧，使其达到初始融化状态，当温度达到985℃时开始，在7min内均匀将硒粉推入加热区，然后再将硫粉均匀推入加热区，在接下来的8分钟内将硫粉全部蒸发； S6:当保温时间结束后，停止保温，自然降温至25℃，取出样品台，获得成品。

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