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龙图腾网获悉深圳帧观德芯科技有限公司申请的专利图像校准方法、图像传感器及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119439228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411452853.9，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权图像校准方法、图像传感器及存储介质是由冯铓设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像校准方法、图像传感器及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及辐射检测成像技术领域，公开了一种图像校准方法、图像传感器及存储介质，其中方法包括：使用至少一个辐射检测器，在多个拍摄位置拍摄校准图案的多个局部，获得多个局部图像；基于每个局部图像，确定获得每个局部图像的辐射检测器的、与辐射检测器在获得局部图像时位于的拍摄位置相关的校准数据集和拼接位置数据集，其中，校准数据集能够用于将辐射检测器在位于拍摄位置时获得的局部图像校准为局部校准图像，拼接位置数据集能够用于确定局部校准图像在与其他局部校准图像拼接时相对于其他局部校准图像的相对位置。本申请的方法简化了校准时的操作，降低了使用者获得校准数据集和拼接位置数据集的难度，提高了校准效率。

本发明授权图像校准方法、图像传感器及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种图像校准方法，其特征在于，所述方法包括： 使用至少一个辐射检测器，利用来自辐射源的辐射，在多个拍摄位置拍摄校准图案的多个局部，获得多个局部图像，其中，所述校准图案的多个局部中的每个局部在所述校准图案中均是唯一的；以及 基于所述多个局部图像中的每个局部图像，确定获得所述每个局部图像的所述辐射检测器的、与所述辐射检测器在获得所述局部图像时位于的拍摄位置相关的校准数据集和拼接位置数据集，其中，所述辐射检测器的与所述拍摄位置相关的所述校准数据集能够用于将所述辐射检测器在位于所述拍摄位置时获得的所述局部图像校准为局部校准图像，所述辐射检测器的与所述拍摄位置相关的所述拼接位置数据集能够用于确定所述局部校准图像在与从一个或多个其他局部图像校准成的一个或多个其他局部校准图像拼接时相对于所述一个或多个其他局部校准图像而位于的相对位置； 所述校准图案由至少两种图标在二维空间沿两个相互正交的方向排列而成，所述图标的排列规则使得所述校准图案中的任意位置处的m×n尺寸的特征图标阵列在所述校准图案中是唯一的，其中，m和n为正整数，所述校准图案的多个局部中的每个局部的面积均大于所述特征图标阵列的面积； 所述拼接位置数据集表示所述局部校准图像在所述校准图案的全局参考图像中的位置，所述校准图案的所述全局参考图像为通过模拟所述校准图案向图像平面投影的情形而生成的图像，其中，所述图像平面平行于所述校准图案的朝向所述辐射源的表面。

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