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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634464.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法是由吴烨恺;谢会开;曹英超;王震;王华;齐强先设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法，主要包括外框架、十字岛框架、双向梳形驱动单元、长弹簧梁和短弹簧梁，制造步骤包括：使用磁中性环路放电等离子体NLD各向异性刻蚀玻璃衬底上的空腔结构，使用阳极键合工艺将带有空腔结构的BF33玻璃晶圆与低阻硅晶圆键合，减薄低阻硅晶，深硅刻蚀DRIE低阻硅晶圆形成电隔离沟道并填充BCB材料，使用化学机械抛光CMP工艺去除低阻硅晶圆表面BCB，溅射金属层及剥离lift‑off工艺形成导线层，深硅刻蚀DRIE低阻硅晶圆形成最终器件。本发明的有益效果：提升器件填充率，减小尺寸，提升结构刚度，响应速度，谐振频率和散热性能，同时提供一种将微动平台与CMOS芯片异质集成的打线方法。

本发明授权一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台的制造方法，包括外框架1、十字岛框架2、双向梳形驱动单元3、长弹簧梁4和短弹簧梁5； 外框架1上包括用于容纳十字岛框架2的空腔和用于容纳双向梳形驱动单元3的空腔； 十字岛框架2包括十字架21和横杆22，其中横杆22共四根分别设置于十字架21的外端位置； 双向梳形驱动单元3由定子31和动子32构成，定子31上具有一个开口槽40，开口槽40的左侧具有第一左侧梳形阵列41，右侧具有第一右侧梳形阵列42，动子32上具有一矩形凸起块33，矩形凸起块的左侧具有第二左侧梳形阵列34，右侧具有第二右侧梳形阵列35，矩形凸起块33插入到开口槽40中间，第一左侧梳形阵列41和第二左侧梳形阵列34相互穿插且存在间隙，第一右侧梳形阵列42和第二右侧梳形阵列35相互穿插且存在间隙； 短弹簧梁5一端连接动子32，另一端连接定子31； 长弹簧梁4一端连接动子32，另一端连接十字岛框架2； 双向梳形驱动单元3数量为四个，分别位于十字岛架的四个象限位置中，每一个双向梳形驱动单元3通过长弹簧梁4与十字岛框架2连接,四个双向梳形驱动单元3每相邻的两个自身均相差九十度设置； 制造方法包括以下步骤： 步骤一：玻璃衬底的刻蚀； 将一张BF33玻璃，有机清洗后进行光刻胶的旋涂，光刻胶通过掩模板在光刻机内被光刻； 步骤二：采用磁中性环路放电等离子体NLD各向异性刻蚀技术刻蚀出空腔结构，湿法去除光刻胶； 步骤三：采用阳极键合工艺将BF33玻璃晶圆带有空腔结构的一面与低阻硅晶圆进行键合； 步骤四:使用减薄机对键合片的低阻硅晶圆面进行减薄； 步骤五：在低阻硅上深硅刻蚀电隔离沟道，将定子从低阻硅上切割出来形成一个独立的部分，再将定子的左侧梳形阵列和右侧梳形阵列切割分成独立的两个部分，以实现二者的电隔离，之后设定位置刻蚀电隔离沟道，左侧梳形阵列和右侧梳形阵列下侧位置的电隔离沟道呈U形形状； 步骤六：电隔离沟道内BCB材料的填充，将切割分开的左侧梳形阵列和右侧梳形阵列粘接为一个整体，再将右侧梳形阵列与低阻硅粘接为一个整体，将BCB液体真空抽入被刻除的低阻硅的隔离沟道内作为绝缘层，并高温固化BCB材料，通过化学机械抛光CMP工艺去除低阻硅表面的BCB，只需保留沟道内的BCB材料； 步骤七：在低阻硅上PECVD氧化层沉积，分别为左侧梳形阵列一路和右侧梳形阵列一路； 步骤八：溅射金属层并用剥离lift-off工艺做金属导线层，用以铺设三个电路，定子左侧梳形阵列一路、定子右侧梳形阵列一路和动子梳形阵列一路，其中定子左侧梳形阵列一路、右侧梳形阵列一路的金属层铺设在绝缘层PECVD氧化层上，动子梳形阵列与整个低阻硅为一体的，直接在低阻硅上引出电路； 步骤九：深硅刻蚀工艺刻蚀低阻硅，先是旋涂光刻胶，然后通过掩模板在光刻机内被光刻，深硅刻蚀低阻硅，同时刻蚀出十字岛框架、双向梳形驱动单元3、长弹簧梁4和短弹簧梁5，以及若干工艺梁9，工艺梁9一端连接十字岛框架2，另一端连接外框架1。

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