深圳中科飞测科技股份有限公司陈鲁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳中科飞测科技股份有限公司申请的专利一种量测3D NAND中深槽蚀刻结构的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411708999.5，技术领域涉及：G01N23/201；该发明授权一种量测3D NAND中深槽蚀刻结构的系统及方法是由陈鲁;马砚忠;骆荣辉;杨天娟;白园园设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量测3D NAND中深槽蚀刻结构的系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体量测技术领域，具体提供一种量测3DNAND中深槽蚀刻结构的系统及方法，旨在于对传统CD‑SAXS量测单元进行改进，在探测光入射至被测样品之前的光路上设计了相位光栅，基于Talbot效应和分数Talbot效应，相位光栅与被测样品的间距设计为Talbot距离或分数Talbot距离，通过相位光栅对探测光进行调制，使照射到样品的探测光光强分布呈现与光栅结构周期及占空比相关的明暗条纹状的分布，然后通过对准机制，使入射光束明条纹对准待测3DNAND中的深槽蚀刻结构区域，暗条纹对准记忆孔结构区域，从而增强入射到深槽蚀刻结构部分的光强，减弱入射到记忆孔部分的光强，降低了从总的散射信号中提取深槽纳米结构散射信号的难度。
本发明授权一种量测3D NAND中深槽蚀刻结构的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种量测3DNAND中深槽蚀刻结构的系统，其特征在于，包括： 光源组件，用于提供CD-SAXS量测的探测光； 多自由度样品台，用于承载被测样品； 探测组件，用于采集探测光照射在被测样品上后产生的散射信号； 相位光栅，其设于所述CD-SAXS量测单元提供的探测光入射至被测样品之前的光路上，用以调制探测光，使探测光经过相位光栅处理后的条纹光束的明条纹对准被测样品的深槽蚀刻结构区域，暗条纹对准被测样品的记忆孔结构区域。
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