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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种MEMS加速度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411583467.3，技术领域涉及：G01P15/12；该发明授权一种MEMS加速度传感器及其制备方法是由王家畴;李昕欣设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS加速度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS加速度传感器及其制备方法，MEMS加速度传感器中，单晶硅衬底上质量块通过悬臂梁与基底框架连接并悬在基底框架内，质量块与基底框架相邻的侧面连接有第一梳齿组，基底框架与质量块相邻的侧面连接有第二梳齿组；悬臂梁包括压敏电阻，基底框架上的导电引线与压敏电阻之间构成压敏电阻检测电路。本发明通过质量块和基底框架之间的第一梳齿组和第二梳齿组作为缓冲，控制质量块和基底框架之间的压膜阻尼，提高MEMS加速度传感器动态特性和抗高过载能力；另外制备过程中设置临时连接梳齿连接质量块和基底框架，降低工艺过程中悬臂梁所受的应力，提高制备良率和结构可靠性；最后临时连接梳齿的位置设置降低工艺不良风险。

本发明授权一种MEMS加速度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于MEMS加速度传感器，所述MEMS加速度传感器包括：单晶硅衬底和导电引线； 所述单晶硅衬底包括位于第一表面的所述加速度敏感单元和基底框架，所述加速度敏感单元包括质量块、悬臂梁、第一梳齿组和第二梳齿组；所述质量块通过所述悬臂梁与所述基底框架连接并悬置于所述基底框架内，所述质量块和所述悬臂梁靠近所述基底框架的底面与所述基底框架之间均存在可动底面间隙，所述质量块靠近所述基底框架的侧面、所述悬臂梁靠近所述基底框架且未与所述基底框架连接的侧面与所述基底框架之间均存在可动侧面间隙； 所述质量块与所述基底框架相邻的侧面沿所述悬臂梁延伸的方向的两端均连接有所述第一梳齿组，所述基底框架与所述质量块相邻的侧面沿所述悬臂梁延伸的方向的两端均连接有所述第二梳齿组，相邻的所述第一梳齿组与所述第二梳齿组之间相互交错排布且存在预设距离的缓冲间隙； 所述悬臂梁包括压敏电阻，所述导电引线固定于所述基底框架上，所述导电引线与所述压敏电阻之间构成压敏电阻检测电路； 所述制备方法包括： 提供单晶硅片； 于所述单晶硅片内靠近第一表面的位置设置压敏电阻； 于所述单晶硅片的所述第一表面上设置止刻层； 图形化所述止刻层，得到显露出所述压敏电阻的引线孔和预设位置的临时连接梳齿的图形； 于所述止刻层上设置第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述止刻层的表面并填充图形化的所述止刻层的空隙； 图形化所述第一阻挡层、所述止刻层和所述单晶硅片，得到基底框架、悬臂梁、质量块、第一梳齿组和第二梳齿组的图形对应的第一图形凹槽； 于所述第一图形凹槽显露出的所有表面覆盖第二阻挡层； 去除所述第一图形凹槽底部的所述第二阻挡层并继续向下刻蚀预设深度的所述单晶硅片； 以所述第二阻挡层为掩膜沿平行于所述第一表面的方向刻蚀所述第一图形凹槽底部显露出的预设深度的所述单晶硅片，释放所述质量块和所述悬臂梁的底面与所述基底框架之间的连接； 去除所述第一阻挡层和所述第二阻挡层，显露出所述止刻层中所述引线孔和所述临时连接梳齿的图形； 于至此得到的结构表面设置导电引线，所述导电引线填充所述引线孔并与所述压敏电阻电连接构成压敏电阻检测电路； 去除所述临时连接梳齿，使所述质量块仅通过所述悬臂梁与所述基底框架连接。

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