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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119491195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659739.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池中的应用是由张晓丹;韩纬;黄茜设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿晶硅叠层太阳电池中的应用。通过对不同掺杂比例的TCO陶瓷靶在室温下进行磁控溅射制备该复合薄膜。氩氧混合气作为工艺气体。所有沉积在沉积前均在小于1×10‑5Pa的基础压力下进行。本发明的复合透明导电氧化物薄膜通过调控不同掺杂比例的TCO薄膜溅射气压和功率，调控其不同的生长模式，得到一种低温、低轰击的复合透明导电氧化物薄膜。该复合透明导电氧化物薄膜下层为柱状结晶生长模式，上层为等轴大晶粒生长模式，可以应用在钙钛矿硅叠层太阳电池中，可以促进载流子在TCO透明电极中垂直和横向传输能力，促进了载流子电荷的有效收集和传输，得到高效钙钛矿硅叠层太阳电池。

本发明授权一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备及其在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种低温、低轰击的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将氩氧混合气作为反应气体，采用磁控溅射沉积法在室温下在衬底上沉积不同掺杂浓度的IZrO薄膜，控制其生长模式，得到两种具有不同结晶模式的TCO薄膜，有利于薄膜当中载流子纵向和横向传输； 2将两种具有不同结晶模式的TCO薄膜组合成复合薄膜，并将其应用在钙钛矿硅叠层太阳电池当中作为透明电极，促进载流子在太阳电池中垂直和横向传输能力提高； 所述的不同结晶模式为柱状结晶和等轴结晶； 步骤1中，在溅射之前，将衬底在丙酮和异丙醇超声浴中清洗，分别选用In2O3:ZrO2=95wt%:5wt%和In2O3:ZrO2=98wt%:2wt%的IZrO陶瓷靶材进行溅射，对于复合IZrO薄膜分别选用5wt%和2wt%Zr掺杂的IZrO靶材进行溅射； 步骤1所述反应气体为3%氩氧混合气；其中O分压X=O2Ar+O2%，当X=0.06%时，调节溅射功率，开始沉积IZrO薄膜，沉积速率为0.4nmmin； 步骤1所述沉积的TCO薄膜不同掺杂比例具有不同的结晶模式，其中在沉积气压为1.2mtorr，溅射功率为35W下沉积的5wt%Zr掺杂的IZrO薄膜倾向于柱状结晶，在沉积气压为0.9motrr，溅射功率为45W下溅射的2wt%Zr掺杂的IZrO薄膜，倾向于等轴结晶；复合薄膜总厚度为130nm，下层柱状结晶层和上层等轴结晶层厚度比为55：75nm。

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