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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种新型离子阱质量分析器及其分辨率调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411646944.6，技术领域涉及：H01J49/42；该发明授权一种新型离子阱质量分析器及其分辨率调控方法是由李晓龙;杨柳;谢智超;王伟民;徐福兴;丁传凡设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型离子阱质量分析器及其分辨率调控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型离子阱质量分析器及其分辨率调控方法，包括一个线形离子阱和调控电极，其中主要通过在相邻的电极之间的间隙设置调控电极，并在调控电极上施加射频电压，用于调节离子阱内的电场分布和含量，从而在不改变离子阱质量分析器尺寸结构的基础上，通过加入调控电极优化离子阱的电场分布和含量，主要是弥补了因边缘高阶场的含量和成分对离子的运动影响，使得离子更稳定的分布在离子阱中心，提升离子阱的质量分辨率和存储效率。

本发明授权一种新型离子阱质量分析器及其分辨率调控方法在权利要求书中公布了：1.一种离子阱质量分析器，其特征在于，包括四根基础电极1、四根调控电极2、两个端盖电极3和一个固定框架9，所述固定框架9的内部为沿其长度方向贯通的腔体，四根所述基础电极1围绕所述固定框架长度方向的中心线周向均匀地设置在腔体内壁，所述基础电极1沿中心线的轴向延伸，两个所述端盖电极3设置在基础电极1长度方向的两端，两个所述端盖电极3对称分布，两个所述端盖电极3分别与固定框架9固定，所述基础电极1与端盖电极3围合形成离子阱5，相邻所述基础电极1之间存在间隙6，四根所述调控电极2分别设在相邻基础电极1之间的间隙6处，所述固定框架9两端的腔口处对应间隙6处设有安装支架4，所述调控电极2的两端分别与安装支架4固定，相邻所述基础电极1之间施加幅值相等、相位相反的RF俘获电压，所述端盖电极3上施加有与基础电极1幅值相等的正电压，四根所述调控电极2上分别施加有幅值相等、相位相同的射频电压； 以中心线的轴心为原点，以垂直于中心线的面为截面建立XY坐标轴，所述调控电极2在XY坐标轴上的截面呈双曲面拱形结构，四根所述调控电极2在XY坐标轴上分别镜像堆成设置在XY坐标轴的四象限中； 四根所述调控电极2的双曲面拱形结构分别与焦点在X轴上时的双曲线部分轨迹重合，所述调控电极2的曲面拱形结构的曲率与基础电极1的双曲面的曲率相同； 所述调控电极2上的射频电压的频率与基础电极1上的RF俘获电压的频率相同。

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