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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411532679.9，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法是由赵新田;王洪;张昊翔设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法。所述方法减薄加工时，使用固态蜡均匀的将蜡涂抹在陶瓷盘上，需减薄加工的产品被蜡固定在陶瓷盘上完成贴合工作，通过这样改变传统减薄工艺的贴合方式，在贴合时不改变产品的Bow值、Warp值形态，将蜡这样通过去厚有效的消除产品因为加工应力产生的Bow值和Warp值，有效的控制了产品的Bow值和Warp值，不仅提升了产品的良率，同时在批量加工中还可以有效的提高产品的性能，在外延过程中可以更好的表征衬底被加工后波长良率和STD。

本发明授权一种大尺寸SiC晶片的减薄加工方法在权利要求书中公布了：1.一种对大尺寸碳化硅晶片进行减薄加工的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将碳化硅晶片进行分面，将碳化硅晶片的碳面统一朝向卡塞的U面，硅面统一朝向卡塞的H面，并对碳化硅晶片进行面型参数测量，确定加工前碳化硅晶片的面型参数； S2、将测量好的碳化硅晶片按照顺序放置在研磨机的游星轮内进行减薄加工； S3、将研磨后的碳化硅晶片进行倒角； S4、将倒角完成后的碳化硅晶片使用蜡贴合在陶瓷盘上：将陶瓷盘放在加热台上，使用固态蜡均匀的将蜡涂抹在陶瓷盘上，按照碳面向上的方式将碳化硅晶片放在陶瓷盘上，用蜡填充碳化硅晶片和陶瓷盘之间的空隙；再使用内通冷却水的降温盘对陶瓷盘降温设定时间，使陶瓷盘温度降低至设定温度，碳化硅晶片被蜡固定在陶瓷盘上完成贴合工作； S5、将贴合好碳化硅晶片的陶瓷盘安装在减薄机上，对碳化硅晶片的碳面进行减薄加工； S6、将减薄好的碳化硅晶片从陶瓷盘上脱蜡：将减薄好的陶瓷盘从减薄机卸下，放置在加热台上，加热设定时间后，等待蜡融化将晶片从陶瓷盘上卸下； S7、翻转碳化硅晶片，将碳化硅晶片的硅面朝上，再次重复步骤S4～S6对碳化硅晶片的硅面减薄加工获得所需碳化硅晶片产品。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学，其通讯地址为：528437 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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