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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种TBC电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411482211.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种TBC电池结构及其制备方法是由王德玲;卢爽;朱玺设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TBC电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种TBC电池结构及其制备方法，属于光伏组件的技术领域，包括沉积在硅片背面交替间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域包括第一钝化接触区、第一钝化非接触区和第一电极，所述第二区域包括第二钝化接触区、第二钝化非接触区和第二电极，所述第一区域与第二区域极性相反；所述第一钝化接触区和第二钝化接触区的截面面积小于第一钝化非接触区和第二钝化非接触区的截面面积。本申请具有优化TBC电池结构的制备工序同时降低Poly层的寄生吸收，提高电池转换效率的效果。

本发明授权一种TBC电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TBC电池结构，包括沉积在硅片1背面交替间隔设置的第一区域2和第二区域3，其特征在于，所述第一区域2包括第一钝化接触区21、第一钝化非接触区22和第一电极4，所述第二区域3包括第二钝化接触区31、第二钝化非接触区32和第二电极5，所述第一区域2与第二区域3极性相反； 所述第一钝化非接触区22包括自靠近硅片1的一侧向远离硅片1的一侧依次设置的第一隧穿层221和第一多晶硅层222，所述第一钝化接触区21包括自靠近第一多晶硅层222的一侧向远离第一多晶硅层222的一侧依次设置的第二隧穿层211和第二多晶硅层212，所述第一电极4与所述第二多晶硅层212形成欧姆接触； 所述第二钝化非接触区32包括自靠近硅片1的一侧向远离硅片1的一侧依次设置的第三隧穿层321和第三多晶硅层322，所述第二钝化接触区31包括自靠近第三多晶硅层322的一侧向远离第三多晶硅层322的一侧依次设置的第四隧穿层311和第四多晶硅层312，所述第二电极5与所述第四多晶硅层312形成欧姆接触； 所述第一钝化接触区21和第二钝化接触区31的截面面积均小于第一钝化非接触区22和第二钝化非接触区32的截面面积； 所述第一钝化非接触区22的第一多晶硅层222和第二钝化非接触区32的第三多晶硅层322厚度一致，厚度均为30~100nm； 所述第一钝化接触区21的第二多晶硅层212和第二钝化接触区31第四多晶硅层312厚度一致，厚度均为100~200nm。

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