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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411256929.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件是由孙瑞泽;袁文瀚;吴仁杰;马云飞;陈万军;张波设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaNHEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaNHEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaNHEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。

本发明授权一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件在权利要求书中公布了：1.一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件，其特征在于，包括由下到上依次层叠设置的衬底层1、成核层2、GaNBuffer层3和非故意掺杂的GaN沟道层4；在GaN沟道层4上表面两端分别具有漏极7和源极8，在漏极7和源极8之间的GaN沟道层4上表面具有AlGaN势垒层5且AlGaN势垒层5的厚度小于漏极7和源极8的厚度；在AlGaN势垒层5上表面靠近源极8一侧具有P型GaN材料层6，在P型GaN材料层6上具有栅极金属9；P型GaN材料层6与源极8之间的AlGaN势垒层5上表面具有钝化层10，P型GaN材料层6与漏极7之间的AlGaN势垒层5上表面具有多列沿器件横向方向设置的列岛，每一列列岛由沿器件纵向方向间隔设置的多个岛构成，岛包括由第一金属12构成的S岛和由P型GaN层11与第二金属13构成的P岛，所有的P岛由一个偏置电路控制，S岛由另一个偏置电路控制；列岛与列岛之间、岛与岛之间、列岛与P型GaN材料层6和列岛与漏极7之间由钝化层10进行隔离。

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