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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311072078.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件是由司梦维;赵锦秀设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件，晶体管包括：衬底；第一绝缘层，呈阶梯结构，包括依次设置的第一部分和第二部分，第二部分的顶面高于第一部分的顶面；栅极，位于第二部分上方；第二绝缘层，呈阶梯结构，栅极上的第二绝缘层的顶面高于栅极未覆盖的第二部分上的第二绝缘层的顶面；第三绝缘层，覆盖第二绝缘层和第一部分；第三绝缘层采用原子层沉积工艺形成；源极和漏极，分别位于栅极的两侧；半导体层，分别与源极和漏极电性连接，半导体层采用原子层沉积工艺形成；第一绝缘层、栅极和第二绝缘层之间的阶梯结构采用刻蚀工艺形成。本发明能够实现短沟道场效应晶体管的大面积、低成本制备。

本发明授权一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种短沟道场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 第一绝缘层，位于所述衬底上方，所述第一绝缘层呈阶梯结构，包括依次设置的第一部分和第二部分，所述第二部分的顶面高于所述第一部分的顶面； 栅极，位于所述第二部分上方，所述栅极设于所述第二部分靠近所述第一部分的端部； 第二绝缘层，位于所述栅极和所述栅极未覆盖的所述第二部分的上方，所述第二绝缘层呈阶梯结构，所述栅极上的第二绝缘层的顶面高于所述栅极未覆盖的所述第二部分上的第二绝缘层的顶面； 第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层和所述第一部分，以及所述第二部分、所述栅极分别与所述第二绝缘层形成的侧壁；所述第三绝缘层采用原子层沉积工艺形成； 源极和漏极，位于所述第三绝缘层上方，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧； 半导体层，位于所述第三绝缘层上方，所述半导体层的两端分别与所述源极和所述漏极电性连接，所述半导体层暴露出所述栅极、所述源极和所述漏极；所述半导体层采用原子层沉积工艺形成； 所述第一绝缘层、所述栅极和所述第二绝缘层之间形成阶梯结构，所述阶梯结构采用刻蚀工艺形成。

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