厦门大学张保平获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410781867.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品是由张保平;马铭爽;梅洋;应磊莹;石磊;杨涛设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品。其中，所述方法依序包括如下步骤：在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层，在氮化镓基外延层一表面制备若干曲面结构；在该曲面结构沿一第一方向依序沉积电流扩展层、曲面反射镜、过渡层，并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底；将区域金属基底一侧置于一临时衬底，去除原始衬底并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面；在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜，并制备电极；去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。本发明能够改善获得独立器件时的金属卷边和侧壁损伤、优化实验工艺，提升器件的光输出功率等性能。
本发明授权一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法依序包括如下步骤： 在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层，在氮化镓基外延层的P型半导体层一表面制备若干相互分离的曲面结构，该曲面结构为凸起；在该曲面结构沿一第一方向依序沉积与曲面结构尺寸对应的电流扩展层、反射镜、过渡层，并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底； 将区域金属基底一侧置于一临时衬底，去除原始衬底，此时相邻曲面结构之间的，没有金属基底支撑的沟道发生碎裂掉落，从而实现台面的自分裂，并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面；在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜，并制备电极； 去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。
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