北京超弦存储器研究院栾庆洁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311109031.6，技术领域涉及：H10K71/20；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由栾庆洁;段新绿;项金娟;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件的制备方法包括：在堆叠结构形成通孔，通孔沿垂直于衬底的方向贯穿第二源漏极及层间介质层，且至少延伸至第一源漏极；至少于层间介质层暴露于通孔的侧壁，在侧壁形成与层间介质层为吸附关系的自组装单分子层，使得通孔内露出自组装单分子层未覆盖的第一源漏极和第二源漏极；以自组装单分子层作为掩膜，于第一源漏极及第二源漏极上形成接触层；去除自组装单分子层；第一源漏极上的接触层和第二源漏极上的接触层通过层间介质层隔离；于通孔内的侧壁形成半导体层，半导体层与第一源漏极和第二源漏极上的接触层连接。工艺简单，成本低。
本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供在垂直于衬底的方向上依次形成的至少包含第一源漏极、层间介质层和第二源漏极的堆叠结构； 在所述堆叠结构形成通孔，所述通孔沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二源漏极及所述层间介质层，且至少延伸至所述第一源漏极； 至少于所述层间介质层暴露于所述通孔的侧壁，在所述侧壁形成与所述层间介质层为吸附关系的自组装单分子层，使得通孔内露出自组装单分子层未覆盖的第一源漏极和第二源漏极； 以所述自组装单分子层作为掩膜，于所述第一源漏极及所述第二源漏极上形成接触层； 去除所述自组装单分子层；所述第一源漏极上的接触层和第二源漏极上的接触层通过所述层间介质层隔离； 于所述通孔内的侧壁形成半导体层，半导体层与第一源漏极和第二源漏极上的所述接触层连接。
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