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龙图腾网获悉深圳帧观德芯科技有限公司申请的专利具有突出的集成电路芯片的侧入射图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119563125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280098201.2，技术领域涉及：G01T1/20；该发明授权具有突出的集成电路芯片的侧入射图像传感器是由曹培炎;刘雨润设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有突出的集成电路芯片的侧入射图像传感器在说明书摘要公布了：一种具有图像传感器的系统，该图像传感器包括：M个金属层i和M个辐射检测器i，i＝1、……、M。M为大于1的整数。辐射检测器i包括辐射吸收层i和集成电路芯片i，j，j＝1、……、Ni。Ni，i＝1、……、M为正整数。多个金属层和多个辐射吸收层一起形成层堆叠。辐射检测器中的一个辐射检测器的所有传感元件存在最佳拟合平面。集成电路芯片i，j，j＝1、……、Ni中的每个集成电路芯片在垂直于最佳拟合平面的方向上与辐射吸收层i至少部分地重叠。存在垂直于最佳拟合平面的第一平面，该第一平面与所有的集成电路芯片相交，并且，不与多个辐射吸收层中的任何辐射吸收层相交。

本发明授权具有突出的集成电路芯片的侧入射图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种系统，包括图像传感器，所述图像传感器包括： M个金属层金属层i，i＝1、……、M，其中，M为大于1的整数；以及 M个辐射检测器辐射检测器i，i＝1、……、M， 其中，对于i的每个值，所述辐射检测器i包括辐射吸收层i以及被配置为处理在所述辐射吸收层i中产生的电信号的集成电路芯片i，j，j＝1、……、Ni，其中，Ni，i＝1、……、M是正整数， 其中，所述M个金属层和所述辐射吸收层i，i＝1、……、M一起形成层堆叠， 其中，所述M个辐射检测器中的一个辐射检测器的所有传感元件存在最佳拟合平面， 其中，对于i的每个值，所述集成电路芯片i，j，j＝1、……、Ni中的每个集成电路芯片在垂直于所述最佳拟合平面的方向上与所述辐射吸收层i至少部分地重叠，并且 其中，存在垂直于所述最佳拟合平面的第一平面，所述第一平面与所有的所述集成电路芯片i，j，i＝1、……、M且j＝1、……、Ni相交，并且，不与所述辐射吸收层i，i＝1、……、M中的任何辐射吸收层相交。

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