广东省大湾区集成电路与系统应用研究院亨利·H·阿达姆松获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种三波段的图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411680109.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种三波段的图像传感器及其制造方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩;赵雪薇设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三波段的图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种三波段的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的衬底层、氧化硅层、氧化铝层、第一电极层、紫外光传感层、可见光传感层、红外光传感层、第二电极层和钝化层；多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿第二电极层、红外光传感层、可见光传感层和紫外光传感层；紫外光传感层采用本征砷化铝材料；可见光传感层采用本征砷化镓材料；红外光传感层采用本征斜切6度的锗系材料；钝化层均匀覆盖在第二电极层和各个矩形凹槽的内壁上；本申请能够解决现有技术中三种传感层之间存在的晶格失配和极性失配问题，降低制造成本，适用于批量化生产。
本发明授权一种三波段的图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三波段的图像传感器，其特征在于，包括： N型电极、P型电极和读出电路，以及依次叠加的衬底层、氧化硅层、氧化铝层、第一电极层、紫外光传感层、可见光传感层、红外光传感层、第二电极层和钝化层； 多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿所述第二电极层、所述红外光传感层、所述可见光传感层和所述紫外光传感层；所述紫外光传感层采用本征砷化铝材料；所述可见光传感层采用本征砷化镓材料；所述红外光传感层采用本征斜切6度的锗系材料；所述红外光传感层采用的锗系材料包括锗锡合金、锗量子阱、锗硅量子阱、锗锡量子阱或硅锗锡量子阱； 所述钝化层均匀覆盖在所述第二电极层和各个矩形凹槽的内壁上； 所述N型电极设于矩形凹槽内，穿过所述钝化层连接所述第一电极层；所述P型电极穿过所述钝化层连接所述第二电极层；所述读出电路分别连接所述N型电极和所述P型电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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