武汉大学梅青松获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640920.X，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法是由梅青松;彭宇琦;陈子豪;廖凌祎;谭媛媛;柏鹭飞;罗旭设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法，涉及微机电器件领域，包括纳米孪晶铜天线、电介质基片和覆盖所述纳米孪晶铜天线的保护层，所述纳米孪晶铜天线的厚度为0.1‑200μm，所述纳米孪晶铜天线的组织结构包括纳米孪晶结构。本申请通过制备出含有纳米孪晶结构的组织结构的纳米孪晶铜天线，提高了纳米孪晶铜贴片天线的电导率、射频性能和机械性能。
本发明授权一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米孪晶铜贴片天线的制备方法，其特征在于：所述纳米孪晶铜贴片天线包括纳米孪晶铜天线、电介质基片和覆盖所述纳米孪晶铜天线的保护层，所述纳米孪晶铜天线的厚度为0.1-200μm，所述纳米孪晶铜天线的组织结构包括纳米孪晶结构；所述纳米孪晶结构的孪晶间距为10-500nm；所述电介质基片的电介质常数为2-6，厚度为0.5-2mm；所述电介质基片包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷以及环氧玻纤复合材料中的一种或多种；所述纳米孪晶铜贴片天线的制备方法包括以下步骤：将铜阳极与阴极板置于含有硫酸铜的电镀液中，在阴极板与阳极间构建一条电解液通道，通过阳极和阴极板施加脉冲电流并使得阳极相对阴极板移动在阴极板上进行电沉积，得到所述纳米孪晶铜天线； 将所述纳米孪晶铜天线从阴极板上取下清洗后固定到电介质基片上，然后在电介质基片上固定覆盖所述纳米孪晶铜天线的保护层，得到所述纳米孪晶铜贴片天线。
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