电子科技大学邓光伟获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于声腔的碳纳米管量子点调控装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119761527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830406.2，技术领域涉及：G06N10/20；该发明授权基于声腔的碳纳米管量子点调控装置及方法是由邓光伟;操可凡;陈宇翔;胡鸿皓设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于声腔的碳纳米管量子点调控装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及量子架构设计、量子点、声子晶体领域，具体为一种基于声腔的碳纳米管量子点调控装置及方法，装置包括声子腔、栅电极、金属涂层、碳纳米管、沟槽，调控方法通过声子腔与量子点的耦合从外界输入信号来调控量子比特，利用声子腔内部的猫态编码进行量子态的存储，提高信息存储的可靠性，延长量子信息的保留时间，增强调控的稳定性并减少调控中的错误。该设计显著缩小了单个量子比特的尺寸至微米级，从而为实现数百万量子比特的芯片集成奠定了基础。这种基于声腔的设计不仅提高了量子计算中量子比特的密度和可扩展性，还通过引入声子腔对量子点的高效调控，为未来大规模量子计算的发展提供了全新思路。
本发明授权基于声腔的碳纳米管量子点调控装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于声腔的碳纳米管量子点调控装置，其特征在于：包括声子腔、栅电极、金属涂层、碳纳米管、沟槽， 所述声子腔：由多格连接而成，利用压电材料制备，并位于两块电极板之间，一端接受外界输入电信号控制，另一端连接栅电极； 沟槽：由二氧化硅制成，沟槽的中间为凹陷，凹陷两侧的凸起部分表面分别设置接地的第一金属涂层和第二金属涂层； 栅电极：由金属制成，位于沟槽凹陷底部，用于控制碳纳米管上的量子点； 碳纳米管：中部悬空在凹陷上方，两端横跨在沟槽上且分别与第一金属涂层、第二金属涂层接触； 声子腔垂直于沟槽底部设置； 声子腔接受外界输入电信号的一端电极与外界有一电容相隔，且电容与声子腔连接的该端接地； 声子腔由多个声腔单元组成； 通过声子腔与量子点的耦合从外界输入信号来调控量子比特； 通过控制沟槽两侧的距离确保量子点与电极之间的紧密耦合。
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