湖南大学王笑获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120534056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511015996.8，技术领域涉及：B32B38/16；该发明授权一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法是由王笑;黄岚雨设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法。该方法包括：莫尔超晶格器件中的二维范德华异质结材料于干法释放转移后依次经溶剂浸泡和高真空分步退火处理，即得；所述高真空分步退火处理为高温退火和或低温退火，其真空度为0.8×10‑4~4.2×10‑5mbar；所述高温退火的温度为400~500℃，时间为0.5~1.5h；所述低温退火的温度为100~200℃，时间为1~12h。该方法首先通过溶剂浸泡有效去除二维异质结材料层间残留的有机物以及部分气泡，再通过高真空分步退火处理，不仅彻底去除层间气泡，保证层与层之间的紧密接触，还可以实现层内激子荧光发射完全淬灭，大幅增强层间激子，并且实现空间扫描强度高度均匀的层间激子发射。
本发明授权一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种莫尔超晶格器件构筑过程中层间界面的清洁方法，其特征在于：莫尔超晶格器件中的二维范德华异质结材料于干法释放转移后经溶剂浸泡和高真空分步退火处理，即得；所述高真空分步退火处理为高温退火和低温退火中的至少一种，其真空度为0.8×10-4~4.2×10-5mbar；所述高温退火的温度为400~500℃，时间为0.5~1.5h；所述低温退火的温度为100~200℃，时间为1~12h； 所述莫尔超晶格器件由从下至上的1~7层材料组成，依次为底层石墨烯、底层h-BN、单层TMDCs、插层石墨烯条、单层TMDCs、顶层石墨烯和顶层h-BN； 所述莫尔超晶格器件从下至上1~3层材料的高真空分步退火处理为高温退火和低温退火；所述莫尔超晶格器件从下至上4层材料的高真空分步退火处理为高温退火；所述莫尔超晶格器件从下至上5~7层材料的高真空分步退火处理为高温退火或低温退火。
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