浙江驰拓科技有限公司严政人获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利抗磁干扰的磁隧道结获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511136988.9，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权抗磁干扰的磁隧道结是由严政人;李琨琨设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗磁干扰的磁隧道结在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗磁干扰的磁隧道结，包括：磁隧道结，所述磁隧道结包括依次层叠设置的钉扎层、势垒层和自由层；间隔层，所述间隔层设置在所述自由层背离所述势垒层的表面；软磁层，所述软磁层设置在所述间隔层背离所述自由层的表面，所述软磁层的磁化方向与外磁场的方向同步发生变化，以使所述软磁层产生与外磁场具有相反方向的杂散场并作用于所述自由层。本发明提供的抗磁干扰的磁隧道结，能够通过软磁层产生的杂散场抵消外磁场对自由层的影响，提高磁隧道结的抗磁干扰能力。
本发明授权抗磁干扰的磁隧道结在权利要求书中公布了：1.一种实现抗磁干扰的磁隧道结在降低外磁场对自由层的影响中的应用，其特征在于，包括： 磁隧道结，所述磁隧道结包括依次层叠设置的钉扎层、势垒层和自由层； 间隔层，所述间隔层设置在所述自由层背离所述势垒层的表面； 软磁层，所述软磁层设置在所述间隔层背离所述自由层的表面，所述软磁层的磁化方向与外磁场的方向同步发生变化，以使所述软磁层产生与外磁场具有相反方向的杂散场并作用于所述自由层；所述软磁层被磁化，并且所述软磁层在被施加写电流时，还会产生与磁化方向平行的自旋转移矩作用于自由层，以减少翻转时间： 其中，所述软磁层采用磁化曲线与外磁场强度具有正相关特性的材料形成；其中，磁化曲线与外磁场强度具有正相关特性的材料包括软磁材料、反铁磁材料、亚铁磁材料或人工反铁磁材料。
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