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龙图腾网获悉合肥安德科铭半导体科技有限公司申请的专利一种原子层沉积含Ru薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120649006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511171470.9，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子层沉积含Ru薄膜的方法是由扈静;程兰云;张学奇;李建恒设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子层沉积含Ru薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料沉积技术领域，具体涉及一种原子层沉积含Ru薄膜的方法。首先执行种子层沉积循环，在衬底上形成所需的种子层，然后执行常规沉积循环，生长含Ru层；种子层沉积循环包括按顺序进行的第一Ru前驱体脉冲、第一共反应物脉冲和吹扫脉冲，其中第一Ru前驱体脉冲和第一共反应物脉冲存在设定时间的重合；常规沉积循环包括依次且独立进行的第二Ru前驱体脉冲、前驱体脉冲吹扫、第二共反应物脉冲和共反应物脉冲吹扫。本申请改进了ALD沉积中种子层的沉积方法。通过重叠脉冲降低了成核延迟，同时通过优化反应条件，避免类CVD气相反应发生，达到缩短孵化周期和降低粗糙度的双重效果。

本发明授权一种原子层沉积含Ru薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积含Ru薄膜的方法，其特征在于，首先执行种子层沉积循环，在衬底上形成所需的种子层，然后执行常规沉积循环，生长含Ru层；所述种子层沉积循环包括按顺序进行的第一Ru前驱体脉冲、第一共反应物脉冲和吹扫脉冲，其中所述第一Ru前驱体脉冲和所述第一共反应物脉冲具有设定时间的重合；所述常规沉积循环包括依次且独立进行的第二Ru前驱体脉冲、前驱体脉冲吹扫、第二共反应物脉冲和共反应物脉冲吹扫；所述种子层沉积循环和常规沉积循环中，反应室压力均在0.1~10Torr；所述种子层沉积循环中，单次第一Ru前驱体脉冲时间为2~5s，单次第一共反应物脉冲时间为2~5s，所述设定时间的重合至少为1s；所述种子层沉积循环中，第一共反应物通入反应室的流量为50~300sccm；载气携带第一Ru前驱体进入反应室，载气流量为20~200sccm； 所述第一Ru前驱体独立选自乙苯1-乙基-1,4-环己二烯钌、1-甲基-1,4-环己二烯三羰基钌、2,3-二甲基-1,3-丁二烯三羰基钌、双乙基环戊二烯基钌、双2,4-二甲基戊二烯钌、二茂钌、三2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮基钌、三乙酰丙酮钌中的任意一种；第一共反应物独立选自O2、NH3、H2、tBuNH2、N2H4、SiH4、Si2H6、B2H4中的任意一种。

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