合肥晶合集成电路股份有限公司金文祥获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120659404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511173598.9，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备是由金文祥;郇小伟;王涛涛设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备包括：器件晶圆，器件晶圆包括经由器件晶圆第一表面向器件晶圆内延伸，且沿平行于第一表面的第一方向间隔分布的沟槽；形成填满沟槽且依次排列的牺牲层、隔离结构；在沿第一方向相邻的隔离结构之间形成光电二极管后，将第一表面与承载晶圆的键合面键合，器件晶圆包括于第一表面相互背离的第二表面；经由第二表面刻蚀去除部分器件晶圆，得到位于相邻牺牲层之间初始凹槽；于同一工艺步骤同期刻蚀去除牺牲层和初始凹槽底部的部分器件晶圆，形成目标凹槽；形成至少填满目标凹槽且底面呈波浪状的陷光层，能够节约光罩，降低加工难度，提高产品良率的同时，提升光吸收效率，增大满阱容量。
本发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供器件晶圆，所述器件晶圆包括经由所述器件晶圆的第一表面向所述器件晶圆内延伸，且沿平行于所述第一表面的第一方向间隔分布的沟槽； 形成填满所述沟槽，且沿背离所述器件晶圆的方向依次排列的牺牲层、隔离结构；所述牺牲层包括沿背离所述器件晶圆的方向层叠的第一牺牲层、第二牺牲层； 在沿所述第一方向相邻的所述隔离结构之间形成光电二极管后，将所述第一表面与承载晶圆的键合面键合，所述器件晶圆包括与所述第一表面相互背离的第二表面； 经由所述第二表面刻蚀去除部分器件晶圆，得到位于相邻所述第一牺牲层之间初始凹槽； 去除所述第一牺牲层后，于同一工艺步骤同期刻蚀去除所述第二牺牲层和所述初始凹槽底部的部分器件晶圆，形成目标凹槽； 形成至少填满所述目标凹槽且底面呈波浪状的陷光层。
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