清陶(昆山)能源发展集团股份有限公司王蓝获国家专利权
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龙图腾网获悉清陶(昆山)能源发展集团股份有限公司申请的专利负极极片、固态电池、用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511205366.7，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权负极极片、固态电池、用电装置是由王蓝;张雪;宋磊设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本负极极片、固态电池、用电装置在说明书摘要公布了：本申请涉及电池技术领域，特别是涉及一种负极极片、固态电池、用电装置。负极极片包括：负极集流体；以及负极活性材料层，设置于负极集流体的至少一侧表面，负极活性材料层包括硅碳材料颗粒、第一硅颗粒和第二硅颗粒；硅碳材料颗粒的粒径D50大于第一硅颗粒的粒径D50，第一硅颗粒的粒径D50大于第二硅颗粒的粒径D50；第一硅颗粒具有多孔结构。本申请通过粒径梯度复配和第一硅颗粒多孔结构的协同作用，在不额外牺牲容量的前提下，可以抑制硅在充放电过程中的体积膨胀，形成连续的离子传输通道，进而同时提高电池的容量性能、倍率性能和循环性能。
本发明授权负极极片、固态电池、用电装置在权利要求书中公布了：1.一种负极极片，其特征在于，包括： 负极集流体；以及 负极活性材料层，设置于所述负极集流体的至少一侧表面，所述负极活性材料层包括硅碳材料颗粒、第一硅颗粒和第二硅颗粒； 所述硅碳材料颗粒的粒径D50大于所述第一硅颗粒的粒径D50，所述第一硅颗粒的粒径D50大于所述第二硅颗粒的粒径D50，所述硅碳材料颗粒的粒径D50为4μm~10μm，所述第一硅颗粒的粒径D50为300nm~2μm，所述第二硅颗粒的粒径D50为20nm~70nm； 所述第一硅颗粒具有多孔结构，所述第一硅颗粒的孔隙率为10%~50%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清陶(昆山)能源发展集团股份有限公司，其通讯地址为：215300 江苏省苏州市昆山市昆山开发区盛希路3号1号厂房2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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