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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司申请的专利短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120722490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511165778.2，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤及应用是由饶黎;吴建鹏;夏先辉;沈峰;王瑞春设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤及应用，包括有芯层和包绕芯层的包层，所述包层包括从内至外依次设置的下陷层、内包层和外包层，其中内包层包括从内至外依次设置的第一内包层和第二内包层，所述芯层相对折射率差Δ1为0.500%~0.570%，且芯层的折射率曲线呈渐变降低的抛物线形状，折射率随着芯径增大呈现递减。通过调整光纤折射率剖面的形状，避免常规的多芯层阶跃台阶式的设计，采用渐变抛物线的设计，相比三角形下陷的芯结构，本发明设计的芯中心高折射率范围和有效折射率面积更大，能有效束缚光的波导在纤芯中间，而相比于梯形芯，该芯层随半径抛物线式下降，可以有效减小芯层的半径，从而达到降低截止波长和弯曲损耗的目的。

本发明授权短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤及应用在权利要求书中公布了：1.一种短截止波长低宏弯损耗的非零色散位移单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于：所述包层包括从内至外依次设置的下陷层、内包层和外包层，其中内包层包括从内至外依次设置的第一内包层和第二内包层，所述芯层相对折射率差Δ1为0.500%~0.570%，且芯层的折射率曲线呈渐变降低的抛物线形状，折射率随着芯径增大呈递减；所述的芯层、下陷层、第一内包层、第二内包层和外包层的相对折射率差满足以下条件： Δ1Δ3Δ5Δ2Δ4； 其中，Δ1为芯层的相对折射率差，Δ2为下陷层的相对折射率差，Δ3为第一内包层的相对折射率差，Δ4为第二内包层的相对折射率差，Δ5为外包层的相对折射率差，所述芯层的半径为R1，所述芯层的半径R1为2.0~3.0μm；所述下陷层的半径为R2，R2∶R1=2.5~3.0，所述第一内包层的半径为R3，R3∶R1=4.0~4.7，所述第二内包层的半径为R4，R4∶R1=4.7~5.3，所述的外包层半径R5=62.5μm。

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