合肥晶合集成电路股份有限公司康绍磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511221844.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、图像传感器是由康绍磊;胡晓芮设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器，所述半导体结构包括：衬底；衬底中形成有阱区；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构用于在所述阱区中定义像素单元；其中，浅沟槽隔离结构与阱区之间还设置有对浅沟槽隔离结构的侧壁和底部形成包围的N型掺杂层、第一P型掺杂层、以及第二P型掺杂层；N型掺杂层位于浅沟槽隔离结构与第一P型掺杂层之间，第一P型掺杂层位于N型掺杂层与第二P型掺杂层之间，第二P型掺杂层位于第一P型掺杂层与阱区之间；其中，第二P型掺杂层的掺杂浓度大于第一P型掺杂层的掺杂浓度，且大于阱区的掺杂浓度。如此，能够在降低暗电流的同时，减小对像素单元主体功能的影响。
本发明授权半导体结构及其制备方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底中形成有阱区； 浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于在所述阱区中定义像素单元； 其中，所述浅沟槽隔离结构与所述阱区之间还设置有对浅沟槽隔离结构的侧壁和底部形成包围的N型掺杂层、第一P型掺杂层、以及第二P型掺杂层；所述N型掺杂层位于所述浅沟槽隔离结构与所述第一P型掺杂层之间，所述第一P型掺杂层位于所述N型掺杂层与所述第二P型掺杂层之间，所述第二P型掺杂层位于所述第一P型掺杂层与所述阱区之间；其中，所述第二P型掺杂层的掺杂浓度大于所述第一P型掺杂层的掺杂浓度，且大于所述阱区的掺杂浓度。
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