买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511223273.7，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法是由黎大兵;聂子凯;贲建伟;孙晓娟;张山丽;吕顺鹏;蒋科设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及紫外LED制造技术领域，尤其涉及一种晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法。包括：图形化衬底为具有凸起或凹陷的三维立体结构，凸起或凹陷的最高点或最低点与衬底表面的高度差范围为0~10微米；凸起或凹陷由倾斜平面区域组成，倾斜平面区域与衬底表面夹角角度为0~15度；外延结构依次为n型AlGaN层、AlGaN多量子阱结构层、p型AlGaN层；p型欧姆接触复合金属层设置在p型AlGaN层上；n型AlGaN层一侧部分暴露，设置n型欧姆接触复合金属层。优点在于：利用倾斜角对AlGaN组分的调控，在不同区域上形成多组分，实现单片上多光谱集成，稳定性高；发光波段覆盖波长范围大于20nm。

本发明授权晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片，其特征在于：包括紧密堆叠的图形化衬底及外延结构； 所述图形化衬底为具有凸起或凹陷的三维立体结构，凸起或凹陷的最高点或最低点与衬底表面的高度差范围为0~10微米；凸起或凹陷由倾斜平面区域组成，倾斜平面区域与衬底表面夹角角度为0~15度；图形化衬底上至少有两个倾斜平面区域；所述图形化衬底中凸起与凹陷的连接区域为连续表面；图形化衬底从中心向外依次为倾斜0.5度区域、倾斜0.7度区域、倾斜1度区域和倾斜1.4度区域；其中倾斜0.5度区域和倾斜1度区域的倾斜方向为从中心向外边缘下降，倾斜0.7度区域和倾斜1.4度区域的倾斜方向为从中心向外边缘上升； 所述外延结构由下至上依次包括n型AlGaN层、AlGaN多量子阱结构层、p型AlGaN层；AlGaN中的Al组分含量为0~100%； p型欧姆接触复合金属层设置在p型AlGaN层上； n型AlGaN层一侧部分暴露，在n型AlGaN层暴露部分的表面，设置n型欧姆接触复合金属层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。