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深圳市埃芯半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利测量方法、装置、电子设备、测量设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120741541B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511266997.X,技术领域涉及:G01N23/223;该发明授权测量方法、装置、电子设备、测量设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

测量方法、装置、电子设备、测量设备及存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供的一种测量方法、装置、电子设备、测量设备及存储介质,通过获取用户选择的待测的目标参数;基于目标参数控制目标参数对应的测量设备测量样本上初始点位的目标参数值;控制X射线荧光分析设备对初始点位进行检测;基于目标参数值和计算关系计算初始点位的理论荧光强度,并基于第一测量光谱确定初始点位的实际荧光强度,基于初始点位的实际荧光强度和初始点位的理论荧光强度建立实际荧光强度与理论荧光强度之间的映射关系;基于测量点位的实际荧光强度和映射关系计算测量点位的理论荧光强度;基于测量点位的理论荧光强度和计算关系计算测量点位的目标参数值,能够适用于不同类型的目标参数测量,能够提高测量效率。

本发明授权测量方法、装置、电子设备、测量设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种测量方法,其特征在于,包括: 获取用户选择的待测的目标参数;获取目标参数对应的测量设备的入射光源的光源角度;基于所述光源角度调整所述目标参数对应的测量设备的入射光源的角度; 基于所述目标参数控制所述目标参数对应的测量设备测量样本上初始点位的目标参数值; 控制X射线荧光分析设备对所述初始点位进行检测,以获取所述初始点位的第一测量光谱; 基于所述目标参数值和计算关系计算所述初始点位的理论荧光强度,并基于所述第一测量光谱确定所述初始点位的实际荧光强度,其中,所述计算关系为目标参数与理论荧光强度之间的计算关系; 基于所述初始点位的实际荧光强度和所述初始点位的理论荧光强度建立实际荧光强度与理论荧光强度之间的映射关系,其中,在所述初始点位为多个的情况下,所述基于所述初始点位的实际荧光强度和所述初始点位的理论荧光强度建立实际荧光强度与理论荧光强度之间的映射关系,包括:基于各个初始点位的实际荧光强度和理论荧光强度进行拟合,以建立实际荧光强度与理论荧光强度之间的映射关系; 在获取到通过X射线荧光分析设备检测的测量点位的第二测量光谱的情况下,基于所述第二测量光谱确定所述测量点位的实际荧光强度,并基于所述测量点位的实际荧光强度和所述映射关系计算所述测量点位的理论荧光强度; 基于所述测量点位的理论荧光强度和所述计算关系计算所述测量点位的目标参数值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市埃芯半导体科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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