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中国科学院合肥物质科学研究院陈斌获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120797023B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511263006.2,技术领域涉及:C25B11/031;该发明授权镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜及制备方法和应用是由陈斌;孙程瑞;孟国文;吴笑笑;万锐;张靖;刘贺设计研发完成,并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于催化材料技术领域,具体涉及一种镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜及制备方法和应用。本发明以含铜杂质的铝片为基底,经阳极氧化制得三维有序多孔氧化铝模板;然后在孔道限域内直流共电沉积制备镍铁钴中熵合金纳米线;去除铝基底及3D‑AAO模板后获得镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜,该材料基于混合熵效应及结构一体化设计,可直接作为自支撑电极用于高效稳定电解水析氧,其三维网格结构和自支撑特性促进电解液传输与气体产物脱附,提升传质效率,避免传统粘结剂使用,增强电极稳定性;解决了现有中熵合金催化剂合成能耗高、工业级大电流工况下催化活性差及反应中活性物质脱落等问题。

本发明授权镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、将含有杂质Cu的商业化Al片裁剪后进行阳极氧化,在Al片上生长3D多孔AAO层,待生长即将结束时,采用连续降压法逐步降低阳极氧化电压,获得3D-AAOAl基底; S2、将3D-AAOAl基底置于磷酸溶液中浸泡,得到扩孔的3D-AAOAl基底; S3、将扩孔的3D-AAOAl基底置于含有镍盐、铁盐和钴盐的电沉积溶液中进行电沉积,沉积的合金纳米线中三种金属近等原子比,去除Al基底以及3D扩孔AAO层,制得镍铁钴中熵合金纳米线三维互连网格膜,记为3DNiFeCoMEANW薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院合肥物质科学研究院,其通讯地址为:230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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