深圳市埃芯半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利材料测量方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120809025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511293630.7,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权材料测量方法、装置、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本材料测量方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供一种材料测量方法、装置、电子设备及存储介质,其方法包括:获取待测量材料的X射线反射谱;对所述待测量材料进行物理建模,获得所述待测量材料的梯度结构模型;将所述X射线反射谱以及所述梯度结构模型导入预设的XRR仿真计算模型中进行拟合,解析得到所述待测量材料的材料信息。基于该方法,可以利用XRR技术解析得到微米量级厚度材料的材料信息。
本发明授权材料测量方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种材料测量方法,其特征在于,包括: 获取待测量材料的X射线反射谱; 构建所述待测量材料的几何结构为多层梯度结构,按照所述待测量材料的半导体工艺类型确定解析函数,按照所述解析函数配置所述多层梯度结构中的每一层结构对应的材料属性,以获得所述待测量材料的梯度结构模型,其中,所述解析函数为分段函数、线性函数、指数函数、多项式函数中的任意一种; 将所述X射线反射谱以及所述梯度结构模型导入预设的XRR仿真计算模型中进行拟合,解析得到所述待测量材料的材料信息。
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