上海邦芯半导体科技有限公司裴凯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120809574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511316612.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备是由裴凯;王晓雯;王兆祥;梁洁;王文渊;刘少康设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备，该方法包括：将待刻蚀器件置于等离子体反应腔内；向所述等离子体反应腔内施加第一射频激励，以将所述等离子体反应腔内的工艺气体激发为等离子体；向所述等离子体反应腔内施加第一固定功率的第二射频激励，以驱动所述等离子体对所述硬掩膜层进行第一阶段刻蚀；在所述光刻胶层的侧壁所产生的条形形貌传递至所述硬掩膜层之前，向所述等离子体反应腔内施加脉冲功率的第二射频激励，以驱动所述等离子体中对所述硬掩膜层进行第二阶段刻蚀，直至刻蚀到所述目标膜层。本发明能够在硬掩膜干法刻蚀过程中改善侧壁条形现象，同时避免传统工艺参数调控方法带来的不利影响。
本发明授权硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种硬掩膜刻蚀方法，其特征在于，包括： 将待刻蚀器件置于等离子体反应腔内，所述待刻蚀器件包括自下而上依次层叠设置的目标膜层、硬掩膜层和图案化的光刻胶层； 向所述等离子体反应腔内施加第一射频激励，以将所述等离子体反应腔内的工艺气体激发为等离子体； 向所述等离子体反应腔内施加第一固定功率的第二射频激励，以驱动所述等离子体对所述硬掩膜层进行第一阶段刻蚀； 在所述光刻胶层的侧壁所产生的条形形貌传递至所述硬掩膜层之前，向所述等离子体反应腔内施加脉冲功率的第二射频激励，以驱动所述等离子体对所述硬掩膜层进行第二阶段刻蚀，直至刻蚀到所述目标膜层。
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