原集微科技(上海)有限公司包文中获国家专利权
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龙图腾网获悉原集微科技(上海)有限公司申请的专利二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120809575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511316637.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜是由包文中设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜，其中，制备方法包括在二维半导体表面依次沉积第一介质层、第二介质层，第二介质层在第一介质层去除液中的刻蚀速率小于第一介质层；刻蚀工艺去除目标掺杂区域第二介质层和部分第一介质层，使得目标掺杂区域保留至少0.1nm的第一介质层，且在溶液法选区掺杂前，用第一介质层去除液将其去除。本发明提供的第一介质层和第二介质层作为非目标掺杂区域的保护层，目标掺杂区域保留部分第一介质层，避免刻蚀工艺对目标掺杂区域二维半导体可能造成的损坏，溶液选区掺杂前去除目标掺杂区域的第一介质层时，对第二介质层的破坏程度小，最大程度起到了保护第二介质层的效果。
本发明授权二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体溶液法选区掺杂的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、在二维半导体表面沉积第一介质层； S2、在第一介质层表面沉积第二介质层，其中，第一介质层和第二介质层满足：在第一介质层去除液中，第二介质层被刻蚀的速率小于第一介质层被刻蚀的速率； S3、刻蚀工艺去除目标掺杂区域的全部第二介质层和部分第一介质层，使得目标掺杂区域保留至少0.1nm的第一介质层； S4、二维半导体在溶液法选区掺杂前，用第一介质层去除液去除步骤S3保留的第一介质层，所述去除液选自四甲基氢氧化铵溶液、盐酸、钨酸铵、偏钨酸铵中的一种，在去除第一介质层后，采用所述去除液对所述二维半导体进行掺杂。
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