恒泰柯半导体(上海)有限公司罗志云获国家专利权
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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511293502.2，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统是由罗志云;潘梦渝;王飞设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统，通过在三维柱状半导体单元外围设置与金属电极电气隔离的环形电势调控层，并将其离散为多个独立弧形电极单元，在单元间设置间隙以实现电学分段控制；进一步对独立弧形电极单元设计沿径向递减的阶梯状高度结构，形成垂直梯度，结合调节单元与柱体之间的径向间隙以改变电容耦合强度；在相邻单元间设置电阻性导电桥构建电势互联网络，最终通过金属电极与调控系统的协同布局，实现对三维空间内电流路径的精确引导；使电流从原本集中于中心区域的分布状态，转变为沿柱体外围多层梯度结构扩展的均匀分布模式，显著增加有效导电体积，降低单位路径上的电流密度，从而有效减小整体导通电阻。
本发明授权降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种降低肖特基二极管导通电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤： 在三维柱状半导体单元顶部设置金属电极，形成初始接触界面； 在所述三维柱状半导体单元外围设置环形电势调控层，环形电势调控层与金属电极电气隔离，将环形电势调控层离散为多个独立弧形电极单元，每个单元与相邻单元之间设置间隙； 对所述独立弧形电极单元的高度设计为沿径向递减的阶梯状结构，形成垂直梯度，并调节所述独立弧形电极单元与所述三维柱状半导体单元之间的径向间隙，改变电容耦合强度； 在所述独立弧形电极单元之间设置电阻性导电桥，构建电势互联网络，然后通过所述金属电极与调控系统的协同布局，实现电流分布的均匀化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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