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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利固态断路器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269689.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权固态断路器是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态断路器在说明书摘要公布了：本公开提供的固态电路器，包括相对设置的第一表面和第二表面；阳极，位于第一表面所在侧；nJFET，位于第二表面所在侧，nJFET包括n‑沟道层、第一源极和第一漏极，其中，第一源极和第一漏极沿第一方向排列，第一漏极为固态断路器的阴极；pJFET，位于所述第二表面所在层并与nJFET在垂直于第一方向的第二方向上交替设置，pJFET包括p‑沟道层、第二源极和第二漏极，其中，第二源极与第一源极共用，第二漏极与第一漏极共用。

本发明授权固态断路器在权利要求书中公布了：1.一种固态断路器，其特征在于，包括： n+衬底，所述n+衬底包括相对设置的第一表面和第二表面； 阳极，位于所述第一表面所在侧； nJFET，位于所述第二表面所在侧，所述nJFET包括n-沟道层、第一源极和第一漏极，其中，所述第一源极与所述第一漏极沿第一方向排列，所述第一漏极为所述固态断路器的阴极； pJFET，位于所述第二表面所在侧并与所述nJFET在垂直于所述第一方向的第二方向上交替设置，所述pJFET包括p-沟道层、第二源极和第二漏极，其中，所述第二源极与所述第一源极共用，所述第二漏极与所述第一漏极共用； 所述nJFET沿第三方向还包括n-漂移层、n-电流扩散层、p型阱层、第一p+连接结构、第一n+接触层、p+顶部栅极层，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；其中， 所述n-电流扩散层和所述p型阱层在所述n-漂移层远离所述n+衬底的一侧嵌入所述n-漂移层，所述n-电流扩散层的深度大于所述p型阱层的深度； 所述第一n+接触层和所述p+顶部栅极层在所述n-沟道层远离所述n+衬底的一侧嵌入所述n-沟道层，所述第一n+接触层和所述p+顶部栅极层在所述第一方向上通过所述n-沟道层间隔设置； 所述第一n+接触层远离所述n+衬底的表面与所述第一源极朝向所述n+衬底的表面接触，所述p+顶部栅极层远离所述n+衬底的表面与所述第一漏极朝向所述n+衬底的表面接触； 所述第一p+连接结构贯穿所述n-沟道层并延伸入所述p型阱层，所述第一p+连接结构与所述p+顶部栅极层在所述第一方向上接触，所述第一p+连接结构与所述第一漏极朝向所述n+衬底的表面接触； 所述pJFET还包括所述n-漂移层、第一p型阱结构和第二p型阱结构，所述p-沟道层在所述n-漂移层远离所述n+衬底的一侧嵌入所述n-漂移层，所述p-沟道层位于所述第一p型阱结构与所述第二p型阱结构之间，所述p-沟道层在所述n+衬底上的正投影与所述n-电流扩散层在所述n+衬底上的正投影沿所述第二方向交替排列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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