四川大学巨晓洁获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511325984.5，技术领域涉及：G01N27/333；该发明授权汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法是由巨晓洁;黄芳艳;周兴龙;褚良银;刘壮;汪伟;谢锐;潘大伟;邓宇超设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法在说明书摘要公布了：本发明属于汞离子检测领域，提供了汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法。所述汞离子检测电化学传感器由基础电化学电极，在基础电化学电极的传感界面上均匀沉积的垂直介孔二氧化硅纳米通道膜，以及连接在所述纳米通道膜上的汞离子识别分子组成，汞离子识别分子通过硅烷偶联剂连接于所述纳米通道膜的表面及纳米通道中；汞离子识别分子为1‑6‑羟甲基‑2,2‑二甲基四氢呋喃[3,4‑d][1,3]二氧杂环‑4‑基‑5‑甲基嘧啶‑2,41H,3H‑二酮。本发明可增强现有电化学传感器对汞离子的特异性识别能力并降低其制备难度和制备成本，实现汞离子的便捷、低成本、高效率和高选择性检测。
本发明授权汞离子检测电化学传感器及其制备方法与汞离子检测方法在权利要求书中公布了：1.一种汞离子检测电化学传感器，其特征在于，该电化学传感器由基础电化学电极，在基础电化学电极的传感界面上均匀沉积的垂直介孔二氧化硅纳米通道膜，以及连接在所述纳米通道膜上的汞离子识别分子组成，汞离子识别分子通过硅烷偶联剂连接于所述纳米通道膜的表面及纳米通道中；汞离子识别分子为1-6-羟甲基-2,2-二甲基四氢呋喃[3,4-d][1,3]二氧杂环-4-基-5-甲基嘧啶-2,41H,3H-二酮； 该电化学传感器是由硅烷偶联剂修饰的汞离子识别分子与基础电化学电极的传感界面上的所述纳米通道膜发生反应形成，硅烷偶联剂修饰的汞离子识别分子的结构如式I所示， I 式I中，R基团为三乙氧基硅基或三甲氧基硅基，m和n均为非负整数，m+n=2~6。
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