南开大学李媛获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120851101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511342731.9，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法及应用是由李媛;陈旭东;田建国设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件应用技术领域，提供一种半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法及应用，包括通过局域场调控方式调节沟道的掺杂程度，从而诱导双极性半导体沟道形成面内p‑n结；通过调节局域场的大小和方向，诱导面内p‑n结势垒高度和内建电场强度发生变化，进而调控双极性半导体沟道的整流特性发生改变，从而模拟非线性激活的功能。本发明基于所述方法构造的激活模块在硬件层面来完成ReLU或者Sigmoid非线性激活功能，减少数据搬运、降低调控及神经网络部署训练的复杂度，有助于构建结构简单、集成度高、低功耗的嵌入式视觉系统。
本发明授权半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件实现可重构的非线性激活功能的方法，其特征在于，包括： 通过局域场调控方式调节沟道的掺杂程度，用以诱导双极性半导体沟道形成面内p-n结； 通过调节局域场的大小和方向，诱导面内p-n结势垒高度和内建电场强度发生变化，进而调控双极性半导体沟道的整流特性发生改变，用以模拟非线性激活的功能； 所述面内p-n结的输出特性正电压段的线性变化对应ReLU激活函数，所述面内p-n结的输出特性正电压段的非线性变化对应Sigmoid激活函数； 通过设置电压脉冲的幅度调控局域场的大小，通过设置电压脉冲的极性调控局域场的方向，进而调控p-n结势垒高度和内建电场的大小，调节ReLU和Sigmoid曲线的工作范围，以及面内p-n结的输出特性正电压段的线性和非线性程度，用以适应不同程度的非线性激活需求。
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