无锡祥瑞微电子科技有限公司吴何获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡祥瑞微电子科技有限公司申请的专利一种超低压降的TMBS半导体器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223568305U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423175345.9，技术领域涉及：A01G25/02；该实用新型一种超低压降的TMBS半导体器件结构是由吴何;周祥瑞;刘秀梅;杨正铭设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低压降的TMBS半导体器件结构在说明书摘要公布了：本专利涉及TMBS半导体器件的设计改进，具体为一种超低压降的TMBS半导体器件结构，可有效解决沟槽栅型结构耐压低导通电阻大的问题，自上而下依次设有上层第一导电类型外延层、含超结阵列的下层第一导电类型外延层和第一导电类型衬底，超结阵列包括交错排布的第二导电类型柱和第一导电类型柱，上层第一导电类型外延层中设有沟槽结构，其中沟槽结构底部穿过上层第一导电类型外延层与超结阵列中第二导电类型柱顶部相连；位于上层第一导电类型外延层表面的势垒合金；位于势垒合金表面的正面金属层；位于第一导电类型衬底背面的背面金属层。
本实用新型一种超低压降的TMBS半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种超低压降的TMBS半导体结构，其特征在于，自上而下依次设有上层第一导电类型外延层4、含超结阵列的下层第一导电类型外延层2和第一导电类型衬底1，所述超结阵列包括交错排布的第二导电类型柱3和第一导电类型柱11，所述上层第一导电类型外延层4中设有沟槽结构5，所述沟槽结构5底部穿过上层第一导电类型外延层4与超结阵列中第二导电类型柱3顶部相连；还包括各沟槽结构5中的内部表面形成栅氧化层6，在形成所述栅氧化层6的各所述沟槽结构5中填充有多晶硅栅7；位于上层第一导电类型外延层4表面的势垒合金8；位于势垒合金8表面的正面金属层9；位于第一导电类型衬底1背面的背面金属层10。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡祥瑞微电子科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D1001室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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