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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利半导体结构以及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223571579U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423032872.4，技术领域涉及：B08B9/28；该实用新型半导体结构以及半导体器件是由闫正坤;马万里;刘浩文;蔡红卫设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构以及半导体器件。该半导体结构包括：外延层，具有第一导电类型，外延层包括相对的第一表面与第二表面；JFET结构，位于外延层中，包括第一注入区与第一阱区，第一阱区沿第一方向位于第一注入区的两侧，且与第一注入区的侧边分别接触，第一阱区远离第二表面的表面为部分的第一表面，第一注入区具有第二导电类型，第一阱区具有第一导电类型，第一方向平行于第一表面与第二表面；栅极，位于外延层的第一表面上，与位于第一注入区两侧的第一阱区接触。本申请解决了现有技术中超结半导体器件无法实现导通损耗和关断损耗都较低的问题。

本实用新型半导体结构以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 外延层，具有第一导电类型，所述外延层包括相对的第一表面与第二表面； JFET结构，位于所述外延层中，包括第一注入区与两个第一阱区，两个所述第一阱区沿第一方向位于所述第一注入区的两侧，且与所述第一注入区的侧边分别接触，所述第一注入区具有第二导电类型，所述第一阱区具有所述第一导电类型，所述第一方向平行于所述第一表面与第二表面； IGBT元胞结构，包括两个第二阱区、第二注入区、两个第三阱区、两个第四阱区和栅极，其中，两个所述第二阱区间隔设置且位于所述第一阱区远离所述第一注入区的一侧，所述第二注入区位于两个所述第二阱区之间，所述外延层具有位于所述第二阱区与所述第二注入区之间的沟槽，所述第三阱区和所述第四阱区均一一对应地位于所述第二阱区中，所述第四阱区位于所述第三阱区远离所述第二注入区的一侧且与所述第三阱区接触，所述栅极位于所述沟槽中、所述第二注入区远离所述第二表面的一侧以及两个所述第一阱区远离所述第二表面的表面上，所述第三阱区具有所述第一导电类型，所述第二阱区、所述第二注入区以及所述第四阱区具有所述第二导电类型，所述第一阱区、所述第二阱区、所述第二注入区、所述第三阱区以及所述第四阱区远离所述第二表面的表面分别为部分的所述第一表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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