盛合晶微半导体(江阴)有限公司贾良鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223582986U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423106902.1，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型一种半导体结构是由贾良鹏;周祖源设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构，包括第一基底，所述第一基底包括第一金属互联层以及位于所述第一金属互联层上方的第一器件层；第二基底，位于所述第一基底上方；通孔，所述通孔贯穿所述第二基底、所述第一器件层且暴露所述第一金属互联层；氧化介质层，位于所述通孔的侧壁及所述通孔两侧的所述第二基底的表面。通过热氧化工艺在衬底表面形成一层介质层，通过增大介质层的厚度，可避免后续刻蚀造成衬底顶部的损伤，有效保护衬底，从而保护结构的完整性，维持整个半导体结构的稳定性。
本实用新型一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一基底，所述第一基底包括第一金属互联层以及位于所述第一金属互联层上方的第一器件层； 第二基底，位于所述第一基底上方； 通孔，所述通孔贯穿所述第二基底、所述第一器件层且暴露所述第一金属互联层； 氧化介质层，位于所述通孔的侧壁及所述通孔两侧的所述第二基底的表面。
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