惠州市芯瓷半导体有限公司章军获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州市芯瓷半导体有限公司申请的专利一种低成本多层器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584402U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423009753.7，技术领域涉及：H05K1/02；该实用新型一种低成本多层器件结构是由章军;罗素扑设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本多层器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种低成本多层器件结构，包括有中层组件、上层组件以及下层组件，该中层组件、上层组件和下层组件均采用DPC方式制作；该中层组件包括有中陶瓷层、中正面线路层和中背面线路层；该上层组件叠设于中层组件的正上方；通过将中层组件、上层组件和下层组件均采用DPC方式制作，并配合将其进行多层封焊，其整体尺寸更精准，无需用到绝缘胶，不易老化，同时通过DPC的多孔结构来接地，从而实现高频信号无损传输，产品使用性能更佳，以及，各围坝中的元件可以批量封装，待封装完成后，再进行裁剪切割，实现从单颗封装到批量封装。本产品气密性好、装配简单，制作周期短，成本低，可以实现全无机封装，可靠性高。
本实用新型一种低成本多层器件结构在权利要求书中公布了：1.一种低成本多层器件结构，其特征在于：包括有中层组件、上层组件以及下层组件，该中层组件、上层组件和下层组件均采用DPC方式制作； 该中层组件包括有中陶瓷层、中正面线路层和中背面线路层；该中正面线路层和中背面线路层分别成型于中陶瓷层的正面和背面； 该上层组件叠设于中层组件的正上方，上层组件包括有上陶瓷层、上正面线路层、上背面线路层和上围坝层；该上正面线路层和上背面线路层分别成型于上陶瓷层的正面和背面；该上围坝层成型于上背面线路层上，且上围坝层与中正面线路层叠合焊接并围构形成上腔体； 该下层组件叠设于中层组件的正下方，下层组件包括有下陶瓷层、下正面线路层、下背面线路层和下围坝层；该下正面线路层和下背面线路层分别成型于下陶瓷层的正面和背面；该下围坝层成型于下正面线路层上，且下围坝层与中背面线路层叠合焊接并围构形成下腔体。
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