深圳市思坦科技有限公司吴涛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市思坦科技有限公司申请的专利微型发光结构和微型发光器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584646U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422642161.2，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型微型发光结构和微型发光器件是由吴涛设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光结构和微型发光器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种微型发光结构和微型发光器件，微型发光结构包括台阶结构和第一极性电极，台阶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，并具有发光区域和外围电极区域，第一极性电极设于外围电极区域上且环绕发光层设置；第一极性电极包括在远离第一半导体层的方向上依次层叠设置的窄视角部和反射部，反射部和窄视角部分别被配置为反射和收敛发光层发射的光线，且反射部在第一半导体层所在平面上的正投影与发光层在第一半导体层所在平面上的正投影之间的间隔距离，大于窄视角部在第一半导体层所在平面上的正投影与发光层在第一半导体层所在平面上的正投影之间的间隔距离，从而可提升水平结构的微型发光二极管芯片的光电性能。
本实用新型微型发光结构和微型发光器件在权利要求书中公布了：1.一种微型发光结构，其特征在于，包括台阶结构和第一极性电极，所述台阶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述台阶结构包括发光区域和外围电极区域，所述第一极性电极设于所述外围电极区域上，且所述第一极性电极环绕所述发光层设置； 并且，所述第一极性电极包括在远离所述第一半导体层的方向上依次层叠设置的窄视角部和反射部，其中，所述反射部被配置为反射所述发光层发射的光线，所述窄视角部被配置为收敛所述发光层发射的光线，且所述反射部在所述第一半导体层所在平面上的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面上的正投影之间的间隔距离，大于所述窄视角部在所述第一半导体层所在平面上的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面上的正投影之间的间隔距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市思坦科技有限公司，其通讯地址为：518109 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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