英特尔公司F·艾德获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利利用具有集成熔丝的模块化衬底设计的微电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109216318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810447299.3，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权利用具有集成熔丝的模块化衬底设计的微电子器件是由F·艾德设计研发完成，并于2018-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用具有集成熔丝的模块化衬底设计的微电子器件在说明书摘要公布了：本发明的实施例包括微电子器件，该微电子器件包括多个有机电介质层、形成在该多个有机电介质层的至少一个有机电介质层中的空腔以及具有第一和第二端口和形成在该空腔内的导电构件的模块化结构。该导电构件通过能够连接第一和第二端口并且还能够将第一和第二端口断开连接提供了模块性。
本发明授权利用具有集成熔丝的模块化衬底设计的微电子器件在权利要求书中公布了：1.一种微电子器件，包括： 多个有机电介质层； 形成在所述多个有机电介质层的至少一个有机电介质层中的空腔；以及 具有第一端口和第二端口和形成在该空腔内的第一导电构件的模块化结构，该第一导电构件通过能够连接所述第一端口和第二端口并且还能够将所述第一端口和第二端口断开连接来提供模块性，其中，在所述空腔内的第一导电构件附近的有机电介质被去除，使得所述空腔内的第一导电构件不与所述有机电介质接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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