三星电子株式会社李载晛获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010111620.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权集成电路半导体装置及其制造方法是由李载晛;李钟汉;朴成华;朴钟河;禹宰勋;郑多福设计研发完成，并于2020-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种集成电路半导体装置，包括：第一区域，其包括第一晶体管；以及第二区域，其在第二方向上与第一区域接触。第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在第二方向上从第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在第一栅极电介质层上的第一栅电极。第二区域包括第二晶体管，第二晶体管包括在第一方向上延伸的第二有源鳍、在第二方向上从第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在第二栅极电介质层上的第二栅电极。该集成电路半导体装置包括栅极电介质层去除区域，该栅极电介质层去除区域临近第一区域和第二区域之间的边界。
本发明授权集成电路半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路半导体装置，包括： 第一区域，其包括第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在垂直于所述第一方向的第二方向上从所述第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在所述第一栅极电介质层上的第一栅电极； 第二区域，其在所述第二方向上与所述第一区域接触，其中，所述第二区域包括第二晶体管，所述第二晶体管包括在所述第一方向上延伸的第二有源鳍、在所述第二方向上从所述第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在所述第二栅极电介质层上的第二栅电极；以及 栅极电介质层去除区域，其临近所述第一区域与所述第二区域之间的边界， 其中，所述栅极电介质层去除区域相对于所述边界在所述第二方向上朝向所述第一区域或所述第二区域偏移，或者所述栅极电介质层去除区域设置在所述第一区域和所述第二区域中的任一个中。
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