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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利光电子器件和传感器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010861473.6，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权光电子器件和传感器和电子设备是由朴敬培;菅沼直俊;许哲准;朴性俊;尹晟荣设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电子器件和传感器和电子设备在说明书摘要公布了：公开了光电子器件、传感器和电子设备。一种光电子器件包括第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的有源层、以及在第一电极与有源层之间的多个辅助层。辅助层包括第一辅助层和第二辅助层，第一辅助层接近有源层，第二辅助层接近第一电极。有源层的能级、第一辅助层的能级、第二辅助层的能级和第一电极的功函数依次变深或依次变浅。

本发明授权光电子器件和传感器和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件，包括： 第一电极和第二电极； 在所述第一电极与所述第二电极之间的有源层；以及 在所述第一电极与所述有源层之间的多个辅助层， 其中所述多个辅助层包括第一辅助层和第二辅助层，所述第一辅助层相对于所述第二辅助层接近所述有源层，所述第二辅助层相对于所述第一辅助层接近所述第一电极， 其中所述有源层的最高占据分子轨道HOMO能级、所述第一辅助层的HOMO能级、所述第二辅助层的HOMO能级和所述第一电极的功函数距真空能级依次变浅，使得所述第一辅助层的所述HOMO能级的大小在所述有源层的所述HOMO能级的大小与所述第二辅助层的所述HOMO能级的大小之间，所述第二辅助层的所述HOMO能级的大小在所述第一辅助层的所述HOMO能级的大小与所述第一电极的功函数的大小之间，以及 其中所述有源层、所述第一辅助层、所述第二辅助层和所述第一电极的能量图满足关系式1、关系式2和关系式3： [关系式1] |ΔΦ1-ΔΦ2|≤0.1eV [关系式2] |ΔΦ1-ΔΦ3|≤0.1eV [关系式3] |ΔΦ3-ΔΦ2|≤0.1eV 其中，在关系式1、关系式2和关系式3中， ΔΦ1是所述有源层的所述HOMO能级与所述第一辅助层的所述HOMO能级之间的差值， ΔΦ2是所述第二辅助层的所述HOMO能级与所述第一电极的所述功函数之间的差值，以及 ΔΦ3是所述第一辅助层的所述HOMO能级与所述第二辅助层的所述HOMO能级之间的差值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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