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龙图腾网获悉上海雅天微电纳刻材料科技有限公司;复旦大学申请的专利一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113754843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110575506.5，技术领域涉及：C08F293/00；该发明授权一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法是由邓海;周家诺设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法在说明书摘要公布了：本发明涉高分子材料技术领域，具体涉及一种组装尺寸和组装形貌高度可控且PDI较小的含硅快速图形化嵌段共聚物，以及该含硅快速图形化嵌段共聚物的制备方法和作为复合图形化材料的应用。本发明设计合成了一类同时具有超高分辨率、高刻蚀对比度且可在低温下快速自组装的含硅DSA快速图形化嵌段共聚物，所述含硅快速图形化嵌段共聚物不仅能够在80℃下仅通过1min退火就能形成稳定的超高纳米结构，且由于含硅组分的存在，所述含硅快速图形化嵌段共聚物还具有较高的抗刻蚀选择性。

本发明授权一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法在权利要求书中公布了：1.一种含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于：所述含硅快速图形化嵌段共聚物包含嵌段A和嵌段B； 所述嵌段A含有单体结构单元MA1和或MA2； 所述嵌段B含有单体结构单元MB1，或所述嵌段B含有单体结构单元MB1以及MB2和或MB3； 所述MA1的结构：所述MA2的结构： 所述MB1的结构：所述MB2的结构： 所述MB3的结构： 所述MA1和MA2中的R1选自：取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基、取代或未取代的C1-C20硅烷基、取代或未取代的C1-C20硅氧烷基、取代或未取代的C1-C20锗烷基、取代或未取代的C1-C20锗氧烷基、取代或未取代的C1-C20锡烷基、取代或未取代的C1-C20锡氧烷基；其中，R1中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基； 所述MB1中的R2选自：无取代或卤素取代的C1-C10直链烷基、无取代或卤素取代的C1-C10分支烷基、无取代或卤素取代的C6-C20环状烷基； 所述MB1中的R3选自：H、卤素、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；其中，R3中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基； 所述MB2中的R4选自：H、取代或未取代的含1-5个Si的硅烷基、取代或未取代的含1-5个Ge的锗烷基、取代或未取代的含1-5个Sn的锡烷基、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的烃氧基、取代或未取代的酯基、取代或未取代的C3-C6的环烷基、取代或未取代的C6-C10的芳基、取代或未取代的含1-3个选自N、O、S的C6-C10的杂芳基、羟基、卤素；其中，R4中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：C1-C6烷基、含1-5个Si的硅烷基、C1-C6烷氧基取代的含1-5个Si的硅烷基、含1-5个Si的硅烷基氧基、含1-5个Si的硅烷基氧基取代的含1-5个Si的硅烷基氧基、C1-C6烷氧基、羟基。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海雅天微电纳刻材料科技有限公司;复旦大学，其通讯地址为：200000 上海市杨浦区国定支路26号2461室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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