赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司梁骥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111198451.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由梁骥;杨云春;郭鹏飞设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成外电极和内电极，其中，所述外电极与所述内电极对应设置；在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质。该方法在晶圆上形成内电极、空气介质和外电极，其中，空气介质形成在外电极和内电极之间。空气介质本质上是空气。形成此结构的半导体是利用空气作为介质，能大大减小传输损耗，利用射频信号的传输，还具有节约成本，性能优质的特点。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 在晶圆上形成外电极和内电极，其中，所述外电极与所述内电极对应设置；所述外电极围绕所述内电极； 在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质，包括： 当所述内电极和所述外电极之间存在连接晶圆区域时，刻蚀所述连接晶圆区域，形成刻蚀区域；在将牺牲层填充至所述刻蚀区域中后，抛光该晶圆，形成抛光后的晶圆；在将所述抛光后的晶圆与另一晶圆键合后，释放所述牺牲层，形成所述空气介质； 当所述内电极和所述外电极之间未存在连接晶圆区域时，将所述牺牲层填充至所述内电极和所述外电极之间的区域，并抛光该晶圆，形成抛光后的晶圆；在将所述抛光后的晶圆与另一晶圆键合后，释放所述牺牲层，形成所述空气介质；其中，所述空气介质作为射频信号传输介质； 在形成所述空气介质之前，所述方法还包括：对所述内电极和所述外电极分别布置电线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励