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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110630629.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体装置及其制造方法是由莫尼卡·巴提;陈柏安设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域；将垫氧化层形成于基板之上；将垫氮化层形成于垫氧化层之上；移除第一区域以及第二区域的垫氧化层以及垫氮化层而裸露出基板的顶面；在第一区域以及第二区域分别形成第一隔离结构以及第二隔离结构；移除第三区域以及第四区域的垫氧化层以及垫氮化层而裸露出顶面；以及在第三区域以及第四区域分别形成第三隔离结构以及第四隔离结构，并同时增加第一隔离结构以及第二隔离结构的厚度。本发明可控制同一工艺中每个元件的击穿电压以及导通电阻，以利降低电路所占的晶圆面积而降低生产成本。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括： 提供一基板，该基板包括一第一区域、一第二区域、一第三区域以及一第四区域； 将一垫氧化层形成于上述基板之上； 将一垫氮化层形成于上述垫氧化层之上； 进行一第一移除步骤以移除上述第一区域以及上述第二区域的上述垫氧化层以及上述垫氮化层而裸露出上述基板的一顶面； 在上述第一区域以及上述第二区域分别形成一第一隔离结构以及一第二隔离结构； 当上述在上述第一区域以及上述第二区域分别形成上述第一隔离结构以及上述第二隔离结构的步骤之后，进行一第二移除步骤以移除上述第三区域以及上述第四区域的上述垫氧化层以及上述垫氮化层而裸露出上述顶面； 在上述第三区域以及上述第四区域分别形成一第三隔离结构以及一第四隔离结构，并同时增加上述第一隔离结构以及上述第二隔离结构的厚度；以及 进行一第三移除步骤以移除上述第二隔离结构的左侧部分以及右侧部分以及上述第四隔离结构的左侧部分以及右侧部分，使得上述第二隔离结构以及上述第四隔离结构的底面实质上与上述基板的上述顶面共平面； 其中透过移除上述第二隔离结构以及上述第四隔离结构的两侧，使得上述第二隔离结构的侧壁与上述顶面的夹角以及上述第四隔离结构的侧壁与上述顶面的夹角皆是直角。

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