南京邮电大学陈子洋获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638833.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用是由陈子洋;秦琦;张缪城;陈星宇;韩翱泽;童祎设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用，通过布设底电极、阻变层、顶电极，并对其厚度、材质进行限定，能够提高阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性。其中，所述阻变层为铁电材料，通过对该忆阻器件进行不同的限流测试，可得到不同阻态，使得忆阻器件阻态更稳定且可用于三值存储和三值逻辑计算。本发明提供的忆阻器件，基于忆阻器内部导通的不可预测性，该忆阻器件的导通电压较为分散，表现出良好的随机性，且导通时阻值急剧减少，便于检测，可用于发生随机数，能够应用于构造随机数发生器，其应用前景广阔。
本发明授权一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.基于铁电材料的忆阻器件在三值逻辑计算中的应用，其特征在于，所述基于铁电材料的忆阻器件包括用于设于衬底上的底电极，所述底电极上设有阻变层，所述阻变层上设有顶电极，所述顶电极与底电极用于与外部电源连接； 所述衬底为硅衬底层，所述阻变层为钡铁氧体，所述顶电极包括多个相互不交叉的顶电子极，所述底电极包括多个相互不交叉的底电子极；所述顶电极的厚度为90~110nm，所述阻变层的厚度为50~70nm，所述底电极的厚度为70~90nm；所述顶电极的厚度为100~105nm，所述阻变层的厚度为55~60nm，所述底电极的厚度为80~90nm；所述底电极为铂电极，所述顶电极为铜电极，所述铜电极的厚度为100nm，所述阻变层的厚度为60nm，所述铂电极的厚度为80nm；所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述底电极、阻变层的尺寸为1~100um。
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